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RSD201N10TL  与  AOD2916  区别

型号 RSD201N10TL AOD2916
唯样编号 A33-RSD201N10TL-0 A-AOD2916
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 3.5
功率耗散(最大值) 850mW(Ta),20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 34mΩ@10A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 43.5mΩ
Qgd(nC) - 2
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 CPT3 TO-252
工作温度 150°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id - 25A
Ciss(pF) - 870
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 46 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 23
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 88
VGS(th) - 2.7
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
Coss(pF) - 68
Qg*(nC) - 5.5
库存与单价
库存 120 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.694
50+ :  ¥6.152
100+ :  ¥5.5866
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD201N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥10.694 

阶梯数 价格
20: ¥10.694
50: ¥6.152
100: ¥5.5866
120 当前型号
FDD3860 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6.2A(Ta) ±20V 3.1W(Ta),69W(Tc) 36m Ohms@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 100V 6.2A TO-252AA

暂无价格 67,500 对比
AOD482 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 32A 100W 37mΩ@10A,10V -55℃~175℃

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
218 对比
BUK7240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7240-100A_SOT428 N-Channel 114W -55°C~175°C ±20V 100V 34A

¥7.9179 

阶梯数 价格
490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比
IRFR3411 Infineon  数据手册 功率MOSFET

44mΩ 100V DPAK (TO-252) N-Channel 20V 32A

暂无价格 0 对比
AOD2916 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 25A 50W 34mΩ@10A,10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比

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