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RSD200N05TL  与  RD3H200SNFRATL  区别

型号 RSD200N05TL RD3H200SNFRATL
唯样编号 A33-RSD200N05TL A-RD3H200SNFRATL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 28 毫欧 @ 20A,10V 28mΩ
漏源极电压Vds 45V 45V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 20W
Qg-栅极电荷 - 12 nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
连续漏极电流Id 20A(Ta) 20A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,160 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.7782
50+ :  ¥4.0726
100+ :  ¥3.5072
500+ :  ¥3.1335
1,000+ :  ¥3.0568
2,000+ :  ¥2.9993
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD200N05TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥4.0726
100: ¥3.5072
500: ¥3.1335
1,000: ¥3.0568
2,000: ¥2.9993
2,160 当前型号
RD3H200SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 45V 20A 28mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规

¥7.3593 

阶梯数 价格
30: ¥7.3593
50: ¥5.6632
100: ¥5.0979
500: ¥4.7146
1,000: ¥4.6379
1,403 对比
RD3H200SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 45V 20A 28mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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