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RSD160P05TL  与  RD3H160SPFRATL  区别

型号 RSD160P05TL RD3H160SPFRATL
唯样编号 A33-RSD160P05TL-1 A33-RD3H160SPFRATL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50m Ohms@16A,10V 50mΩ
漏源极电压Vds 45V -45V
Pd-功率耗散(Max) 20W(Tc) 20W
Qg-栅极电荷 - 16 nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 CPT TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 16A 16A
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
库存与单价
库存 12,327 1,057
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥4.5804
50+ :  ¥4.1205
100+ :  ¥3.4785
500+ :  ¥3.4785
1,000+ :  ¥3.4689
2,000+ :  ¥3.4497
4,000+ :  ¥3.4305
20+ :  ¥9.7837
50+ :  ¥6.5257
100+ :  ¥5.2225
500+ :  ¥4.8967
1,000+ :  ¥4.6954
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD160P05TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT

¥4.5804 

阶梯数 价格
40: ¥4.5804
50: ¥4.1205
100: ¥3.4785
500: ¥3.4785
1,000: ¥3.4689
2,000: ¥3.4497
4,000: ¥3.4305
12,327 当前型号
RD3H160SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥9.7837 

阶梯数 价格
20: ¥9.7837
50: ¥6.5257
100: ¥5.2225
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.6954
1,057 对比
RD3H160SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

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