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RSD150N06TL  与  AUIRFR4105  区别

型号 RSD150N06TL AUIRFR4105
唯样编号 A33-RSD150N06TL-0 A-AUIRFR4105
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 45mΩ
上升时间 - 49ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 22.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 CPT3 -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 27A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 15A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 40ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 68W
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.8898
50+ :  ¥4.9637
100+ :  ¥4.3217
300+ :  ¥3.8905
500+ :  ¥3.8043
1,000+ :  ¥3.7372
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.8898 

阶梯数 价格
30: ¥6.8898
50: ¥4.9637
100: ¥4.3217
300: ¥3.8905
500: ¥3.8043
1,000: ¥3.7372
2,500 当前型号
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规

¥8.078 

阶梯数 价格
20: ¥8.078
50: ¥6.152
100: ¥5.5099
300: ¥5.0787
487 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.498 

阶梯数 价格
20: ¥3.498
100: ¥2.904
342 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AUIRFR4105 Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V -55°C~175°C(TJ) 27A 45mΩ 20V 68W N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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