RSD140P06TL 与 RD3L140SPFRATL 区别
| 型号 | RSD140P06TL | RD3L140SPFRATL | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSD140P06TL-1 | A3x-RD3L140SPFRATL | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 14A CPT3 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | - | ||||||||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 84mΩ@-14A,-10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | -60V | ||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 20W | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1900pF @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | P 通道 | P-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | CPT3 | TO-252-3 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | ±14A | ||||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 84 毫欧 @ 14A,10V | - | ||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - | ||||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 14A(Ta) | - | ||||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 27nC @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 20,000 | 0 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RSD140P06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 CPT3 |
￥7.2635
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20,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
￥7.8193
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645 | 对比 | ||||||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
￥7.8193
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400 | 对比 | ||||||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规 |
￥2.4584
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
