RSD131P10TL 与 SUD09P10-195-GE3 区别
| 型号 | RSD131P10TL | SUD09P10-195-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RSD131P10TL | A3t-SUD09P10-195-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | 850mW(Ta),20W(Tc) | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200 毫欧 @ 6.5A,10V | 195 mOhms @ 3.6A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),32.1W(Tc) | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | 8.8A(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2400pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 818 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥8.1834
|
818 | 当前型号 | |||||||||||||
|
SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
