RSD131P10TL 与 ZXMP10A18KTC 区别
| 型号 | RSD131P10TL | ZXMP10A18KTC | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSD131P10TL | A36-ZXMP10A18KTC | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | P-Channel 100 V 0.15 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - DPAK | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率 | 850mW(Ta),20W(Tc) | - | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200 毫欧 @ 6.5A,10V | 150mΩ@2.8A,10V | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.17W(Ta) | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | 5.9A | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1055pF @ 50V | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26.9nC @ 10V | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 6V,10V | ||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2400pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 818 | 12,814 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥8.1834
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818 | 当前型号 | |||||||||||||
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ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.17W(Ta) 150mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 5.9A |
￥3.025
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12,814 | 对比 | ||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
￥3.762
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4,265 | 对比 | ||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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