RSD131P10TL 与 SUD09P10-195-GE3 区别
| 型号 | RSD131P10TL | SUD09P10-195-GE3 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSD131P10TL-0 | A3t-SUD09P10-195-GE3 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | 850mW(Ta),20W(Tc) | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200 毫欧 @ 6.5A,10V | 195 mOhms @ 3.6A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),32.1W(Tc) | ||||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | 8.8A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2400pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥8.1834
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2,500 | 当前型号 | |||||||||||||||
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ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.17W(Ta) 150mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 5.9A |
￥3.025
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12,814 | 对比 | ||||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
￥3.762
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4,265 | 对比 | ||||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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