RSD100N10TL 与 RD3P100SNFRATL 区别
| 型号 | RSD100N10TL | RD3P100SNFRATL | ||
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| 唯样编号 | A33-RSD100N10TL-0 | A3-RD3P100SNFRATL | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | 20W(Tc) | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 133 毫欧 @ 5A,10V | 133mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 20W | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 18 nC | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | - | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | 10A | ||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4V,10V | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 700pF @ 25V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 90 | 30 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RSD100N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
¥2.2423
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90 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RD3P100SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
¥7.9151
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2,388 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P100SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
¥7.9151
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1,068 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
¥1.1633
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283 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P100SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||||||||
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AUIRLR3410TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |