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RSD100N10TL  与  AUIRLR3410TRL  区别

型号 RSD100N10TL AUIRLR3410TRL
唯样编号 A33-RSD100N10TL-0 A-AUIRLR3410TRL
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm 17 A Hexfet Power Mosfet - TO-252-3 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 133 毫欧 @ 5A,10V 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 17A
系列 - 汽车级,AEC-Q101,HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V 800pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V 34nC @ 5V
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.2423
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD100N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥2.2423 

阶梯数 价格
70: ¥2.2423
90 当前型号
RD3P100SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规

¥7.9151 

阶梯数 价格
20: ¥7.9151
50: ¥5.989
100: ¥5.347
300: ¥4.9158
500: ¥4.8296
1,000: ¥4.7625
2,388 对比
RD3P100SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规

¥7.9151 

阶梯数 价格
20: ¥7.9151
50: ¥5.989
100: ¥5.347
300: ¥4.9158
500: ¥4.8296
1,000: ¥4.7625
1,068 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
RD3P100SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

100V 10A 133mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规

暂无价格 30 对比
AUIRLR3410TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比

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