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RSD080N06TL  与  RD3L080SNFRATL  区别

型号 RSD080N06TL RD3L080SNFRATL
唯样编号 A33-RSD080N06TL-0 A33-RD3L080SNFRATL-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 15W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 80 毫欧 @ 8A,10V 80mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 15W
Qg-栅极电荷 - 9.4 nC
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8A(Ta) 8A
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 380pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,724 1,244
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥5.7303
50+ :  ¥4.0247
100+ :  ¥3.4593
300+ :  ¥3.0856
500+ :  ¥3.0089
1,000+ :  ¥2.9514
30+ :  ¥6.6502
50+ :  ¥4.9542
100+ :  ¥4.3888
300+ :  ¥4.0055
500+ :  ¥3.9288
1,000+ :  ¥3.8713
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD080N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥5.7303 

阶梯数 价格
30: ¥5.7303
50: ¥4.0247
100: ¥3.4593
300: ¥3.0856
500: ¥3.0089
1,000: ¥2.9514
1,724 当前型号
NTD3055L104T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

DPAK

¥3.245 

阶梯数 价格
20: ¥3.245
100: ¥2.706
1,250: ¥2.464
2,499 对比
RD3L080SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 8A 80mΩ 20V 15W -55°C~150°C 车规

¥6.6502 

阶梯数 价格
30: ¥6.6502
50: ¥4.9542
100: ¥4.3888
300: ¥4.0055
500: ¥3.9288
1,000: ¥3.8713
1,244 对比
NTD3055L104T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
AUIRFR024NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V 17A 75mΩ 20V 45W N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比
NTD3055L104T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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