RSD050N10TL 与 RD3P050SNFRATL 区别
| 型号 | RSD050N10TL | RD3P050SNFRATL | ||||||
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| 唯样编号 | A33-RSD050N10TL-1 | A-RD3P050SNFRATL | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | 15W(Tc) | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 530pF @ 25V | 530pF @ 25V | ||||||
| FET类型 | N 通道 | N 通道 | ||||||
| 封装/外壳 | CPT3 | TO-252 | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 190 毫欧 @ 5A,10V | 190 毫欧 @ 5A,10V | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | 4V,10V | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | 5A(Ta) | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | 14nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 175 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.6215
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175 | 当前型号 | ||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-253-2 N-Channel 35W 190mΩ@5.2A,10V -55°C~175°C ±20V 10V 8.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFR120ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 35W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 190mΩ@5.2A,10V N-Channel 100V 8.7A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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RD3P050SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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