RSD050N06TL 与 DMN6068LK3-13 区别
| 型号 | RSD050N06TL | DMN6068LK3-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSD050N06TL-0 | A36-DMN6068LK3-13 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 68mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 10.8ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10.3nC | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290pF @ 10V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 19.7S | ||||||||
| 封装/外壳 | CPT3 | DPAK | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8.5A | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 109 毫欧 @ 5A,10V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 8.7ns | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 8.49W | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 11.9ns | ||||||||
| FET类型 | N 通道 | - | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | - | ||||||||
| 系列 | - | DMN6068 | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | - | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.6ns | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 15 | 7,489 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 15 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
￥1.463
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7,489 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.12W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 5.36A(Ta) |
￥1.9355
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4,609 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.507
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4,421 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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