RS6R060BHTB1 与 SIR5710DP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6R060BHTB1 | SIR5710DP-T1-RE3 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6R060BHTB1-1 | A-SIR5710DP-T1-RE3 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.8mΩ@60A,10V | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | - | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 1,025 | 40 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥27.3099
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1,025 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IRF7451TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SI7738DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 7.7A 38mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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