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RS6R035BHTB1  与  BSC520N15NS3GATMA1  区别

型号 RS6R035BHTB1 BSC520N15NS3GATMA1
唯样编号 A33-RS6R035BHTB1-0 A3-BSC520N15NS3GATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@35A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 73W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890pF @ 75V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 35A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 52 毫欧 @ 18A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 8V,10V
漏源电压(Vdss) - 150V
库存与单价
库存 2,500 5,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥11.269
50+ :  ¥7.0814
100+ :  ¥6.5544
500+ :  ¥6.2094
1,000+ :  ¥6.1328
2,000+ :  ¥6.0849
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.269 

阶梯数 价格
20: ¥11.269
50: ¥7.0814
100: ¥6.5544
500: ¥6.2094
1,000: ¥6.1328
2,000: ¥6.0849
2,500 当前型号
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3 G_8-PowerTDFN

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