RS6R035BHTB1 与 SI4848BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6R035BHTB1 | SI4848BDY-T1-GE3 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6R035BHTB1-0 | A-SI4848BDY-T1-GE3 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ@35A,10V | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,420 | 20 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
￥13.837
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2,420 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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BSC520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF7451TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
