RS6P100BHTB1 与 SI4058DY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6P100BHTB1 | SI4058DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS6P100BHTB1 | A36-SI4058DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 10.3A(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.9mΩ@90A,10V | 26 mOhms @ 10A,10V | ||||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 5.6W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.8V @ 250uA | ||||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,960 | 6,464 | ||||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
|
1,960 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.882
|
6,464 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
FDS3672 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC |
￥5.357
|
1,897 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
SiR106ADP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
PowerPAK® SO-8 Single -55°C~150°C 65.8A 8mΩ@15A,10V 100V 83.3W ±20V N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
23.2A (Ta),95A (Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 55 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
