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RS6P100BHTB1  与  BSC035N10NS5ATMA1  区别

型号 RS6P100BHTB1 BSC035N10NS5ATMA1
唯样编号 A33-RS6P100BHTB1 A36-BSC035N10NS5ATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),156W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 104W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6500pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 100A -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 115uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 2,100 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
3+ :  ¥68.6675
10+ :  ¥15.6481
50+ :  ¥11.7193
100+ :  ¥10.9336
500+ :  ¥10.349
1,000+ :  ¥9.9562
2,000+ :  ¥9.8795
6+ :  ¥9.636
100+ :  ¥8.382
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥68.6675 

阶梯数 价格
3: ¥68.6675
10: ¥15.6481
50: ¥11.7193
100: ¥10.9336
500: ¥10.349
1,000: ¥9.9562
2,000: ¥9.8795
2,100 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN

暂无价格 5,000 对比
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN

¥21.3688 

阶梯数 价格
8: ¥21.3688
10: ¥16.386
50: ¥16.1081
100: ¥15.3319
500: ¥15.1402
1,000: ¥14.9486
4,847 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥68.6675 

阶梯数 价格
3: ¥68.6675
10: ¥15.6481
50: ¥11.7193
100: ¥10.9336
500: ¥10.349
1,000: ¥9.9562
2,000: ¥9.8795
2,100 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
BSC035N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC035N10NS5_8-PowerTDFN

¥9.636 

阶梯数 价格
6: ¥9.636
100: ¥8.382
100 对比

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