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RS6P100BHTB1  与  BSC035N10NS5  区别

型号 RS6P100BHTB1 BSC035N10NS5
唯样编号 A33-RS6P100BHTB1 A33-BSC035N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 100A 100A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 3.5mΩ@50A,10V
系列 - OptiMOS™
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 104W 156W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 2,100 4,847
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
3+ :  ¥68.6675
10+ :  ¥15.6481
50+ :  ¥11.7193
100+ :  ¥10.9336
500+ :  ¥10.349
1,000+ :  ¥9.9562
2,000+ :  ¥9.8795
8+ :  ¥21.3688
10+ :  ¥16.386
50+ :  ¥16.1081
100+ :  ¥15.3319
500+ :  ¥15.1402
1,000+ :  ¥14.9486
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥68.6675 

阶梯数 价格
3: ¥68.6675
10: ¥15.6481
50: ¥11.7193
100: ¥10.9336
500: ¥10.349
1,000: ¥9.9562
2,000: ¥9.8795
2,100 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN

暂无价格 5,000 对比
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN

¥21.3688 

阶梯数 价格
8: ¥21.3688
10: ¥16.386
50: ¥16.1081
100: ¥15.3319
500: ¥15.1402
1,000: ¥14.9486
4,847 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥68.6675 

阶梯数 价格
3: ¥68.6675
10: ¥15.6481
50: ¥11.7193
100: ¥10.9336
500: ¥10.349
1,000: ¥9.9562
2,000: ¥9.8795
2,100 当前型号
BSC035N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC035N10NS5_8-PowerTDFN

¥9.636 

阶梯数 价格
6: ¥9.636
100: ¥8.382
100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比

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