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RS6P100BHTB1  与  BSC035N10NS5  区别

型号 RS6P100BHTB1 BSC035N10NS5
唯样编号 A33-RS6P100BHTB1 A-BSC035N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 100A 100A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 3.5mΩ@50A,10V
系列 - OptiMOS™
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 104W 156W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 1,960 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥26.4283
10+ :  ¥17.0951
30+ :  ¥12.8021
50+ :  ¥11.9493
100+ :  ¥11.2977
300+ :  ¥10.8761
500+ :  ¥10.7898
1,000+ :  ¥10.7228
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥26.4283 

阶梯数 价格
6: ¥26.4283
10: ¥17.0951
30: ¥12.8021
50: ¥11.9493
100: ¥11.2977
300: ¥10.8761
500: ¥10.7898
1,000: ¥10.7228
1,960 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A

暂无价格 0 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.882 

阶梯数 价格
20: ¥2.882
100: ¥2.222
1,250: ¥1.925
2,500: ¥1.837
6,464 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

¥5.357 

阶梯数 价格
10: ¥5.357
100: ¥4.466
1,250: ¥4.048
1,897 对比
SiR106ADP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK® SO-8 Single -55°C~150°C 65.8A 8mΩ@15A,10V 100V 83.3W ±20V N-Channel

暂无价格 100 对比
SIR170DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

23.2A (Ta),95A (Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V

暂无价格 55 对比

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