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RS6N120BHTB1  与  IRF7493TRPBF  区别

型号 RS6N120BHTB1 IRF7493TRPBF
唯样编号 A33-RS6N120BHTB1 A36-IRF7493TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 15mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 8-SO
连续漏极电流Id ±135A 9.3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
库存与单价
库存 50 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
3+ :  ¥66.8948
10+ :  ¥15.2456
50+ :  ¥10.5215
20+ :  ¥4.785
100+ :  ¥3.993
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

¥66.8948 

阶梯数 价格
3: ¥66.8948
10: ¥15.2456
50: ¥10.5215
50 当前型号
IRF7493 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

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SO-8

暂无价格 0 对比
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SOIC-8

¥9.185 

阶梯数 价格
6: ¥9.185
100: ¥7.975
750: ¥7.26
1,500: ¥6.985
3,000: ¥6.71
8,313 对比
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.785 

阶梯数 价格
20: ¥4.785
100: ¥3.993
100 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比

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