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RS6N120BHTB1  与  SIR826LDP-T1-RE3  区别

型号 RS6N120BHTB1 SIR826LDP-T1-RE3
唯样编号 A33-RS6N120BHTB1 A-SIR826LDP-T1-RE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id ±135A 21.3A(Ta),86A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 5 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 104W 5W(Ta),83W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 50 30
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
3+ :  ¥66.8948
10+ :  ¥15.2456
50+ :  ¥10.5215
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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100: ¥3.993
100 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比

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