RS6N120BHTB1 与 SIR680DP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | SIR680DP-T1-RE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS6N120BHTB1 | A-SIR680DP-T1-RE3 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | HSOP8 | PowerPAK® SO-8 | ||
| 连续漏极电流Id | ±135A | 100A(Tc) | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3m Ohms | 2.9 mOhms @ 20A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 104W(Tc) | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| Vgs(th) | - | 3.4V @ 250uA | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 7 | 30 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥25.2688
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7 | 当前型号 | ||||
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SIR826LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.3A(Ta),86A(Tc) N-Channel 5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 110 | 对比 | ||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||
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SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||
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SIR680DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
100A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||
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SIR880ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 6.3mΩ 3V |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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