首页 > 商品目录 > > > > RS6N120BHTB1代替型号比较

RS6N120BHTB1  与  IRF7493  区别

型号 RS6N120BHTB1 IRF7493
唯样编号 A33-RS6N120BHTB1 A-IRF7493
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 15mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 80V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 12.0nC
封装/外壳 HSOP8 SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id ±135A 5.8A
QG - 31.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.36
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.642
50+ :  ¥10.1095
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥14.642 

阶梯数 价格
20: ¥14.642
50: ¥10.1095
50 当前型号
IRF7493 Infineon  数据手册 功率MOSFET

15mΩ 80V SO-8 N-Channel 20V 5.8A

暂无价格 0 对比
IRF7854 Infineon  数据手册 功率MOSFET

13.4mΩ 80V SO-8 N-Channel 20V 7.9A

暂无价格 0 对比
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V

¥10.153 

阶梯数 价格
5: ¥10.153
100: ¥8.822
750: ¥8.03
1,500: ¥7.722
2,599 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

21.3A(Ta),86A(Tc) N-Channel 5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V

暂无价格 60 对比
SIR680DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

100A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V

暂无价格 30 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售