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RS6L120BGTB1  与  SI4850EY-T1-E3  区别

型号 RS6L120BGTB1 SI4850EY-T1-E3
唯样编号 A33-RS6L120BGTB1 A36-SI4850EY-T1-E3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
功率耗散Pd 104W 1.7W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 6A(Ta)
漏源极电压Vds 60V 60V
Vgs(最大值) - ±20V
导通电阻Rds(On) 2.7mΩ@90A,10V 22 mOhms @ 6A,10V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 514 19
工厂交货期 28 - 35天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥15.5714
50+ :  ¥10.7994
100+ :  ¥10.1957
300+ :  ¥9.8028
500+ :  ¥9.7262
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥15.5714 

阶梯数 价格
10: ¥15.5714
50: ¥10.7994
100: ¥10.1957
300: ¥9.8028
500: ¥9.7262
514 当前型号
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.012 

阶梯数 价格
20: ¥3.012
100: ¥2.316
750: ¥2.004
1,500: ¥1.92
13,690 对比
NTMFS5C673NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.636 

阶梯数 价格
20: ¥3.636
100: ¥2.796
750: ¥2.424
1,500: ¥2.316
4,500 对比
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel

暂无价格 4,500 对比
NVMFS5C682NLAFT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

¥3.504 

阶梯数 价格
20: ¥3.504
100: ¥2.688
197 对比
SI4850EY-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V

暂无价格 19 对比

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