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RS6L120BGTB1  与  SIJ462ADP-T1-GE3  区别

型号 RS6L120BGTB1 SIJ462ADP-T1-GE3
唯样编号 A33-RS6L120BGTB1 A-SIJ462ADP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAKSO-8L
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 1,050 140
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
6+ :  ¥25.6617
10+ :  ¥16.7788
50+ :  ¥11.6331
100+ :  ¥10.9911
300+ :  ¥10.5599
500+ :  ¥10.4736
1,000+ :  ¥10.4161
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥25.6617 

阶梯数 价格
6: ¥25.6617
10: ¥16.7788
50: ¥11.6331
100: ¥10.9911
300: ¥10.5599
500: ¥10.4736
1,000: ¥10.4161
1,050 当前型号
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN-5

¥2.508 

阶梯数 价格
20: ¥2.508
100: ¥1.936
750: ¥1.683
1,500: ¥1.606
3,079 对比
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN-5

暂无价格 3,000 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥1.903 

阶梯数 价格
30: ¥1.903
50: ¥1.463
712 对比
SIJ462ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAKSO-8L

暂无价格 140 对比
SI4850BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V

暂无价格 40 对比

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