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RS6L090BGTB1  与  SIR4608LDP-T1-GE3  区别

型号 RS6L090BGTB1 SIR4608LDP-T1-GE3
唯样编号 A33-RS6L090BGTB1-0 A-SIR4608LDP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 90A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 73W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 1,820 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.4702
50+ :  ¥7.0814
100+ :  ¥6.5352
500+ :  ¥6.1711
1,000+ :  ¥6.0945
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.4702 

阶梯数 价格
20: ¥11.4702
50: ¥7.0814
100: ¥6.5352
500: ¥6.1711
1,000: ¥6.0945
1,820 当前型号
IRF7855 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.025 

阶梯数 价格
20: ¥3.025
100: ¥2.321
750: ¥2.013
1,500: ¥1.903
1,784 对比
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8Single

暂无价格 10 对比
SIR4608LDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 0 对比
NTMFS5C645NLT3G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比

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