RS6L090BGTB1 与 IRF7855TRPBF 区别
| 型号 | RS6L090BGTB1 | IRF7855TRPBF | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6L090BGTB1-0 | A-IRF7855TRPBF | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@90A,10V | 9.4mΩ@12A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | 2.5W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SO | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 90A | 12A | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.9V @ 100µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1560pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.9V @ 100µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1560pF | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 534 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥13.4537
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534 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A SOT1205 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||||
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SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||
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SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 57W 4.4mΩ@15A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 80.3A SOT669 |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||||
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NTMFS5C645NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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