RS6G120BGTB1 与 SIR426DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6G120BGTB1 | SIR426DP-T1-GE3 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6G120BGTB1-0 | A-SIR426DP-T1-GE3 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | MOSFET | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 宽度 | - | 5.15 mm | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.34mΩ@90A,10V | 10.5mΩ@15A,10V | ||||||||||||||
| 零件号别名 | - | SIR426DP-GE3 | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 4.8W(Ta),41.7W(Tc) | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOT1205 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 120A | 30A | ||||||||||||||
| 系列 | - | SIR | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||||||
| 长度 | - | 6.15 mm | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1160pF @ 20V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 31nC @ 10V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 高度 | - | 1.04 mm | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,599 | 52 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥25.5084
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1,599 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V SOT1205 |
暂无价格 | 52 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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