RS6G120BGTB1 与 NTMFS5C430NLT1G 区别
| 型号 | RS6G120BGTB1 | NTMFS5C430NLT1G | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS6G120BGTB1-0 | A-NTMFS5C430NLT1G-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | DFN5(5x6) | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 120A | 200A | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.34mΩ@90A,10V | 1.4mΩ@50A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 110W | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,599 | 200,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥25.5084
|
1,599 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V SOT1205 |
暂无价格 | 52 | 对比 | ||||||||||||||||
|
SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 40 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
