首页 > 商品目录 > > > > RS6G120BGTB1代替型号比较

RS6G120BGTB1  与  IRF7842  区别

型号 RS6G120BGTB1 IRF7842
唯样编号 A33-RS6G120BGTB1-0 A-IRF7842
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 5.9mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 40V 40V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A 14A
QG - 33.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.54
库存与单价
库存 1,756 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥70.172
10+ :  ¥15.9356
50+ :  ¥11.0294
100+ :  ¥10.4161
500+ :  ¥10.0041
1,000+ :  ¥9.9274
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥9.152 

阶梯数 价格
6: ¥9.152
100: ¥7.876
1,250: ¥7.513
2,500: ¥7.15
19,917 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,193 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,908 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售