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RS6G120BGTB1  与  IRF7469  区别

型号 RS6G120BGTB1 IRF7469
唯样编号 A33-RS6G120BGTB1-0 A-IRF7469
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 17mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 9A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,756 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥70.172
10+ :  ¥15.9356
50+ :  ¥11.0294
100+ :  ¥10.4161
500+ :  ¥10.0041
1,000+ :  ¥9.9274
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥10.164 

阶梯数 价格
5: ¥10.164
100: ¥8.778
1,250: ¥8.349
2,500: ¥7.953
19,930 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,642 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,940 对比

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