RS6G100BGTB1 与 SIR422DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6G100BGTB1 | SIR422DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS6G100BGTB1 | A-SIR422DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4mΩ@90A,10V | 6.6mΩ@20A,10V |
| 零件号别名 | - | SIR422DP-GE3 |
| 上升时间 | - | 84ns |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 34.7W |
| Qg-栅极电荷 | - | 48nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 28ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 70S |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 20.5A |
| 系列 | - | SIR |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1785pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 11ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 19ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4 | 40 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 4 | 当前型号 |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 |
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V SOT1205 |
暂无价格 | 52 | 对比 |
|
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK SO-8 N-Channel |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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