首页 > 商品目录 > > > > RS6G100BGTB1代替型号比较

RS6G100BGTB1  与  IRF7842  区别

型号 RS6G100BGTB1 IRF7842
唯样编号 A33-RS6G100BGTB1 A-IRF7842
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 5.9mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 40V 40V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150℃ -
连续漏极电流Id 100A 14A
QG - 33.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.54
库存与单价
库存 64 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.6427
50+ :  ¥6.6407
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥6.6407
64 当前型号
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥10.164 

阶梯数 价格
5: ¥10.164
100: ¥8.778
1,250: ¥8.349
2,500: ¥7.953
19,930 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,642 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,940 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售