RS6G100BGTB1 与 SIR422DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6G100BGTB1 | SIR422DP-T1-GE3 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6G100BGTB1-1 | A36-SIR422DP-T1-GE3-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | MOSFET | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 59W | 34.7W | ||||||||||||||||
| 零件号别名 | - | SIR422DP-GE3 | ||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 84ns | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 48nC | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 28ns | ||||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 70S | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOIC-8 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 20.5A | ||||||||||||||||
| 系列 | - | SIR | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1785pF @ 20V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 11ns | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 19ns | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.4mΩ@90A,10V | 6.6mΩ@20A,10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,489 | 82 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
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2,489 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥3.3281
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82 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTMFS5C450NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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NVMFS5C468NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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