RS6G100BGTB1 与 NVMFS5C468NT1G 区别
| 型号 | RS6G100BGTB1 | NVMFS5C468NT1G | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6G100BGTB1-1 | A-NVMFS5C468NT1G | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 59W | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.4mΩ@90A,10V | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,489 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
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2,489 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥3.3281
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82 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTMFS5C450NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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NVMFS5C468NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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