RS3E095BNGZETB 与 RS3E135BNGZETB 区别
| 型号 | RS3E095BNGZETB | RS3E135BNGZETB | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS3E095BNGZETB-0 | A32-RS3E135BNGZETB-1 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Tc) | 2W(Tc) | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | 9.5A(Ta) | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | 680pF @ 15V | ||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.6mΩ@9.5A,10V | 14.6mΩ@9.5A,10V | ||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | 8.3nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 2,500 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
￥1.548
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4,238 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.2756
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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1,600 | 对比 |
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