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RS3E075ATTB  与  IRF9393TRPBF  区别

型号 RS3E075ATTB IRF9393TRPBF
唯样编号 A33-RS3E075ATTB-1 A36-IRF9393TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 23.5mΩ@7.5A,10V 32.5mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.3V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SOIC -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9.2A
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V,20V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1250pF @ 15V 1110pF @ 25V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 P-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 38nC @ 10V
正向跨导 - 13S
库存与单价
库存 2,500 10,912
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥2.6065
100+ :  ¥2.4723
500+ :  ¥2.0794
1,000+ :  ¥2.0028
2,000+ :  ¥1.8686
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.309
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥1.0978
4,000+ :  ¥1.045
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.6065 

阶梯数 价格
60: ¥2.6065
100: ¥2.4723
500: ¥2.0794
1,000: ¥2.0028
2,000: ¥1.8686
2,500 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
1,000: ¥1.815
2,000: ¥1.716
4,000: ¥1.628
19,483 对比
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.309
1,000: ¥1.166
2,000: ¥1.0978
4,000: ¥1.045
10,912 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
100: ¥0.4882
180 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
10 对比

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