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RS3E075ATTB  与  IRF7416TRPBF  区别

型号 RS3E075ATTB IRF7416TRPBF
唯样编号 A33-RS3E075ATTB-1 A36-IRF7416TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23.5mΩ@7.5A,10V 20mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 10A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1250pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,500 19,483
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥2.6065
100+ :  ¥2.4723
500+ :  ¥2.0794
1,000+ :  ¥2.0028
2,000+ :  ¥1.8686
20+ :  ¥2.541
100+ :  ¥2.024
1,000+ :  ¥1.815
2,000+ :  ¥1.716
4,000+ :  ¥1.628
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.6065 

阶梯数 价格
60: ¥2.6065
100: ¥2.4723
500: ¥2.0794
1,000: ¥2.0028
2,000: ¥1.8686
2,500 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
1,000: ¥1.815
2,000: ¥1.716
4,000: ¥1.628
19,483 对比
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.309
1,000: ¥1.166
2,000: ¥1.0978
4,000: ¥1.045
10,912 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
100: ¥0.4882
180 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
10 对比

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