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RS3E075ATTB  与  SI4435DY  区别

型号 RS3E075ATTB SI4435DY
唯样编号 A33-RS3E075ATTB-1 A32-SI4435DY-1
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 23.5mΩ@7.5A,10V 0.035 0hms
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -20 V、+20 V
封装/外壳 8-SOIC 4.9*3.9*1.57mm
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.8 A
长度 - 4.9mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
正向二极管电压 - 1.2V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +175 °C
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1250pF @ 15V -
高度 - 1.57mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 42 ns
漏源极电压Vds 30V 1604 pF @ -15 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 P-Channel 增强
系列 - PowerTrench
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1604pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 13 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
正向跨导 - 24S
库存与单价
库存 2,500 10
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税)
60+ :  ¥2.6065
100+ :  ¥2.4723
500+ :  ¥2.0794
1,000+ :  ¥2.0028
2,000+ :  ¥1.8686
1+ :  ¥0.556
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.6065 

阶梯数 价格
60: ¥2.6065
100: ¥2.4723
500: ¥2.0794
1,000: ¥2.0028
2,000: ¥1.8686
2,500 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
1,000: ¥1.815
2,000: ¥1.716
4,000: ¥1.628
19,483 对比
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.309
1,000: ¥1.166
2,000: ¥1.0978
4,000: ¥1.045
10,912 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
100: ¥0.4882
180 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
10 对比

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