首页 > 商品目录 > > > > RS1E280GNTB代替型号比较

RS1E280GNTB  与  BSC0901NSATMA1  区别

型号 RS1E280GNTB BSC0901NSATMA1
唯样编号 A33-RS1E280GNTB A-BSC0901NSATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ@28A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),31W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 28A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.9 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 987 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.5832
50+ :  ¥4.8775
100+ :  ¥4.3121
300+ :  ¥3.9384
500+ :  ¥3.8618
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E280GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta)

¥6.5832 

阶梯数 价格
30: ¥6.5832
50: ¥4.8775
100: ¥4.3121
300: ¥3.9384
500: ¥3.8618
987 当前型号
BSZ019N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ019N03LSATMA1_PG-TSDSON-8-FL N-Channel 69W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~150°C ±20V 30V 149A

暂无价格 5,000 对比
BSC025N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC025N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC0901NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0901NSATMA1_30V 100A 1.6mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSZ0902NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0902NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC0901NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0901NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售