RS1E280GNTB 与 SIRA06DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS1E280GNTB | SIRA06DP-T1-GE3 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS1E280GNTB-0 | A3t-SIRA06DP-T1-GE3 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 3W(Ta),31W(Tc) | 5W(Ta),62.5W(Tc) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 28A(Ta) | 40A(Tc) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2300pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.6mΩ@28A,10V | 2.5 mOhms @ 15A,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
¥6.4394
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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BSZ019N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8-FL N-Channel 69W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~150°C ±20V 30V 149A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC0901NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 100A 1.6mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |