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RS1E200GNTB  与  CSD17310Q5A  区别

型号 RS1E200GNTB CSD17310Q5A
唯样编号 A33-RS1E200GNTB A32-CSD17310Q5A
制造商 ROHM Semiconductor TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ 5.1 毫欧 @ 20A,8V
上升时间 7.2ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W -
Qg-栅极电荷 16.8nC -
栅极电压Vgs 2.5V +10V,-8V
典型关闭延迟时间 34.7ns -
正向跨导 - 最小值 18S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 20A 21A(Ta),100A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 3V,8V
下降时间 8.4ns -
典型接通延迟时间 13.2ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 53 35
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
20: ¥2.992
100: ¥2.398
1,000: ¥2.134
2,000: ¥2.024
4,000: ¥1.925
4,000 对比
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阶梯数 价格
1: ¥2.8788
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