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RS1E200GNTB  与  IRFHM830TRPBF  区别

型号 RS1E200GNTB IRFHM830TRPBF
唯样编号 A33-RS1E200GNTB A-IRFHM830TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6 mO 15 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ 3.8mΩ@20A,10V
上升时间 7.2ns -
Qg-栅极电荷 16.8nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 18S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 HSOP-8 PQFN(3x3)
连续漏极电流Id 20A 21A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 8.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2155pF @ 25V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2.7W(Ta),37W(Tc)
典型关闭延迟时间 34.7ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2155pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
典型接通延迟时间 13.2ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
库存与单价
库存 53 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

20A 3W 4.6mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 53 当前型号
IRFHM830TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.7W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.8mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
BSC042N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042N03LSGATMA1_30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.2W(Ta),136W(Tc) +20V,-16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 22A(Ta),145A(Tc)

暂无价格 0 对比
BSC883N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC883N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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