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RS1E200GNTB  与  BSC050N03LSGATMA1  区别

型号 RS1E200GNTB BSC050N03LSGATMA1
唯样编号 A33-RS1E200GNTB A-BSC050N03LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ -
上升时间 7.2ns -
Qg-栅极电荷 16.8nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 15V
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 18S -
封装/外壳 HSOP-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 20A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 8.4ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W -
典型关闭延迟时间 34.7ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 13.2ns -
库存与单价
库存 53 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

暂无价格 53 当前型号
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PQFN(3x3)

¥2.992 

阶梯数 价格
20: ¥2.992
100: ¥2.398
1,000: ¥2.134
2,000: ¥2.024
4,000: ¥1.925
4,000 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

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阶梯数 价格
1: ¥2.8788
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