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RS1E200BNTB  与  BSC052N03LS  区别

型号 RS1E200BNTB BSC052N03LS
唯样编号 A33-RS1E200BNTB A36-BSC052N03LS
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@20A,10V 5.2mΩ
上升时间 - 3.6nS
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),25W(Tc) 28W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 38S
典型关闭延迟时间 - 13nS
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 20A(Ta) 57A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 2.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 30 567
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.905
100+ :  ¥3.256
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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