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RS1E200BNTB  与  CSD17310Q5A  区别

型号 RS1E200BNTB CSD17310Q5A
唯样编号 A33-RS1E200BNTB-0 A32-CSD17310Q5A
制造商 ROHM Semiconductor TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@20A,10V 5.1 毫欧 @ 20A,8V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),25W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V +10V,-8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 20A(Ta) 21A(Ta),100A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 3V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V 1560pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V 11.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,500 35
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税)
60+ :  ¥2.8844
100+ :  ¥2.5681
500+ :  ¥2.5681
1,000+ :  ¥2.5586
2,000+ :  ¥2.549
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8844 

阶梯数 价格
60: ¥2.8844
100: ¥2.5681
500: ¥2.5681
1,000: ¥2.5586
2,000: ¥2.549
2,500 当前型号
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

¥3.08 

阶梯数 价格
20: ¥3.08
100: ¥2.475
1,250: ¥2.2
2,500: ¥2.079
3,325 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_5.9mm

¥3.905 

阶梯数 价格
20: ¥3.905
100: ¥3.256
567 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
BSZ050N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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