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RRH140P03GZETB  与  IRF9317TRPBF  区别

型号 RRH140P03GZETB IRF9317TRPBF
唯样编号 A33-RRH140P03GZETB A-IRF9317TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 31 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ 6.6mΩ@16A,10V
上升时间 80ns -
Qg-栅极电荷 150 nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 20S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 SOP-8 8-SO
连续漏极电流Id 14A 16A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 200ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2820pF
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W(Ta)
典型关闭延迟时间 360ns -
FET类型 - P-Channel
通道数量 1 Channel -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2820pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
典型接通延迟时间 32ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC
库存与单价
库存 4,507 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥22.8157
10+ :  ¥15.6385
50+ :  ¥10.4832
100+ :  ¥9.8412
300+ :  ¥9.41
500+ :  ¥9.3237
1,000+ :  ¥9.2662
2,000+ :  ¥9.2279
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH140P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

14A 2W 5mΩ 30V 2.5V SOP-8 -55°C~150°C

¥22.8157 

阶梯数 价格
7: ¥22.8157
10: ¥15.6385
50: ¥10.4832
100: ¥9.8412
300: ¥9.41
500: ¥9.3237
1,000: ¥9.2662
2,000: ¥9.2279
4,507 当前型号
AO4409 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 7.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 15A SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比
IRF9321TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.2mΩ@15A,10V P-Channel 30V 15A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4409 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 7.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 15A SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比
IRF9317TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@16A,10V P-Channel 30V 16A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4447 AOS 功率MOSFET

±20V 7.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 15A SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比

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