RRH100P03GZETB 与 TPC8125,LQ(S 区别
| 型号 | RRH100P03GZETB | TPC8125,LQ(S | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RRH100P03GZETB | A33-TPC8125,LQ(S | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Toshiba | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.6mΩ@10A,10V | - | ||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30 V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 650mW(Ta) | 1W(Ta) | ||||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 13 毫欧 @ 5A,10V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2580 pF @ 10 V | ||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 2V @ 500uA | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 64 nC @ 10 V | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOP | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | 10A(Ta) | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-25V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3600pF @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 3,700 | 39 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥11.911
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3,700 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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TPC8125,LQ(S | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) 8-SOP 150°C(TJ) 30 V 10A(Ta) |
￥5.0787
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39 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF9328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF7424PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.5mΩ@11A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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