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RQ6P015SPTR  与  RSQ015P10TR  区别

型号 RQ6P015SPTR RSQ015P10TR
唯样编号 A33-RQ6P015SPTR-0 A32-RSQ015P10TR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 600mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 470mΩ@1.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 950pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 1.5A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 470 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 322nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 17nC @ 5V
库存与单价
库存 2,660 100
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥5.0979
50+ :  ¥3.191
100+ :  ¥2.5586
500+ :  ¥2.1369
1,000+ :  ¥2.0507
2,000+ :  ¥1.9836
1+ :  ¥1.8748
25+ :  ¥1.7359
100+ :  ¥1.6072
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6P015SPTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥5.0979 

阶梯数 价格
30: ¥5.0979
50: ¥3.191
100: ¥2.5586
500: ¥2.1369
1,000: ¥2.0507
2,000: ¥1.9836
2,660 当前型号
RSQ015P10TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

¥1.8748 

阶梯数 价格
1: ¥1.8748
25: ¥1.7359
100: ¥1.6072
100 对比
RSQ015P10TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

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